AlN / AlGaN超晶格层改善a面GaN晶体质量

通过低压金属有机气相沉积来生长非极性(112 ̄0)a平面GaN膜在r平面(11′0 2)蓝宝石衬底上。报告了使用AlN / AlGaN超晶格(SLs)的方法使用X射线衍射和原子分析技术改进a平面GaN在r平面上的晶体质量力显微镜测量,我们发现插入AlN / AlGaN SL可以改善晶体质量, 有效降低表面粗糙度并完全消除表面的三角凹痕。