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论文研究AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素 .pdf

上传者: 2019-09-04 03:57:04上传 PDF文件 535.76KB 热度 22次
AlGaN/AlN/GaNHFETs中极化库仑场散射的影响因素,刘艳,林兆军,本文通过室温下测试得到的AlGaN/AlN/GaNHFETs的电流电压特性和电容电压特性,同时结合薛定谔方程与泊松方程自洽求解,研究了极化库仑�
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