论文研究不同源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-05-06 15:17:06上传 PDF文件 532.64KB 热度 32次 不同源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究，崔鹏，林炜，制作了两种源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管，通过电容-电压测试和电流-电压测试，研究发现极化库仑场散射对于二维电子气电子迁 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
