铁电场效应晶体管

王华 于军 周文利 王耘波 谢基凡 周东祥 朱丽丽 摘要:介绍了铁电场效应晶体管(FFET)的基本结构、存储机制、制作方法,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对FFET存储特性的影响,对FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述。 关键词:铁电薄膜;铁电场效应晶体管;存储特性 中图分类号:TN304.9 文献标识码:A 文章编号:1001-2028(2000)02-0019-03 铁电薄膜材料具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等