A 面和C 面AlGaN/GaN 异质结的比较研究

采用MOCVD 技术在R 面和C 面蓝宝石上生长非极性A 面和极性C 面AlGaN/GaN 异.质结。分别用X 射线衍射仪和原子力显微镜比较了两种材料的结构特性及表面形貌,通过电容-电.压测试比较了两种材料的电学特性。研究结果表明,较高浓度的二维电子气的存在使得极性材料.在微波功率器件方面更有优势,而非极性材料可以消除与极化相关的电场,更适合应用于光电器件.领域。