过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响 上传者：难以逾越 2021-04-26 08:15:37上传 PDF文件 811.46KB 热度 34次 利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
