NTR4003NT1G的技术参数

产品型号:NTR4003NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500最大漏极电流Id(on)(A):0.560通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:0.56A,30V功率MOSFET价格/1片(套):¥3.00