NTR4503NT1G的技术参数

产品型号:NTR4503NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):2.500通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-55 ~150描述:30 V, 2.5 A,双功率MOSFET价格/1片(套):¥1.30