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NTR0202PLT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 16:13:27上传 PDF文件 26.03KB 热度 7次
产品型号:NTR0202PLT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):800最大漏极电流Id(on)(A):0.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-55 ~150描述:-20 V, -400 mA,双功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20
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