NTJD4401NT1G的技术参数

产品型号:NTJD4401NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):375最大漏极电流Id(on)(A):0.630通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V,双N沟道 MOSFET价格/1片(套):¥1.60