NTJD4152PT1G的技术参数 上传者:qq_61044 2020-12-13 10:51:15上传 PDF文件 26.18KB 热度 12次 产品型号:NTJD4152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):215最大漏极电流Id(on)(A):0.880通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET价格/1片(套):¥1.57 下载地址 用户评论 更多下载