NTLJD3115PT1G的技术参数

产品型号:NTLJD3115PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(°C):DFN-6/-55~150描述:-20V,-4.1A,uCOOL双P沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥3.20