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NTHD4401PT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 07:41:34上传 PDF文件 25.66KB 热度 7次
产品型号:NTHD4401PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:20V,3A,P沟道双MOSFET价格/1片(套):¥4.50
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