NTHD4401PT1G的技术参数 上传者：HAN.Z.H 2020-12-13 07:41:34上传 PDF文件 25.66KB 热度 31次 产品型号:NTHD4401PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:20V,3A,P沟道双MOSFET价格/1片(套):¥4.50 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
