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MTD6N15T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 13:52:14上传 PDF文件 25.84KB 热度 13次
产品型号:MTD6N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(°C):4DPAK/-55~150描述:6A,150V,DPAK,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):暂无
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