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NTD32N06T4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 09:30:53上传 PDF文件 26.18KB 热度 10次
产品型号:NTD32N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:32 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.80
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