NTD12N10T4G的技术参数 上传者：孤独的快乐 2020-12-13 11:29:01上传 PDF文件 26KB 热度 31次 产品型号:NTD12N10T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:12 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):¥4.20 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
