NTB52N10T4G的技术参数 上传者：waves_ug 2020-12-13 06:41:47上传 PDF文件 25.76KB 热度 26次 产品型号:NTB52N10T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):52通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55 ~150描述:52 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):¥15.70 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
