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NTB125N02RT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:42:47上传 PDF文件 26.19KB 热度 7次
产品型号:NTB125N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):125通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK 3/-55 ~150描述:125 A, 24 V 功率MOSFET价格/1片(套):¥7.60
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