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NTD85N02RT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:00:20上传 PDF文件 26.02KB 热度 9次
产品型号:NTD85N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.200最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:85 A, 24 V,功率MOSFET价格/1片(套):¥4.80
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