1. 首页
  2. 大数据
  3. spark
  4. NTD30N02的技术参数

NTD30N02的技术参数

上传者: 2020-12-13 00:20:26上传 PDF文件 25.82KB 热度 5次
产品型号:NTD30N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~150描述:30A,24V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥4.30
下载地址
用户评论