光刻工艺

光刻工艺过程与一般器件相同,包括有:涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制,温度过高,时间太长,易造成显影困难;温度低,时间短,易造成浮胶,针孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也同样重要。鉴于CCD结构中,多晶硅条细且长,又密集,显影通常采用动态显影法,该法较易去掉胶渣,免得胶渣残留在多晶硅条中,引起连条。腐蚀在光刻中是十分重要的一环,光刻精度的提高在某种程度来说只有在腐蚀时才付诸实现的,而腐蚀质量的优劣直接影响着图形的分辨率和精确度。