缺陷及CD对光刻工艺的影响研究

本篇论文的目的是探讨并研究针对目前半导体製程过程中,包含涂佈光阻 (Coating),曝光(Exposure),与显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生 的 Defect 种类,产生原因的探讨并加以的区分,而且利用一些实验手法去减少 产生 Defect 的现象发生.例如利用 Exhaust 的改变,製程程式的设定,Hardware Modify 等等均可改善,并研究如何去预防发生. 除此之外,现在随着製程技术进步,对于 CD 的要求是越来越小,在黄光 的整个 Process 过程中有许多的因素影响着 CD 的变化,包含曝光能量与焦距的 变化,显影前 Hot Bake