ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化

ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化--摘自.semiait. 摘要:分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。 1 前言 由于铝自身的性质,导致传统的铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失效,随着ULSI特征尺寸的进一步减小,布线层数增加、宽度也随之变细,这个问题也变得更加突出。而铜的多层布线恰恰能避免这一问题的出现,因此在深亚微米工艺中(0.18μm及以下),铜将逐步代替铝成为硅片上多层布线的材料。现在,已被普遍承认的是,