使用AlGaN电子阻挡层和InAlN电子阻挡层比较GaN基发光二极管

通过使用AlGaN和InAlN数值研究了GaN基发光二极管(LED)的光学特性电子阻挡层(EBL)。 通过发射光谱,载流子浓度分布的模拟, 能带,静电场,内部量子效率和输出功率,结果表明LED 与采用AlGaN EBL的原始LED相比,采用InAlN EBL结构的设计具有更好的性能。 频谱强度和输出功率显着提高,内部量子效率下降InAlN EBL结构的这种设计有效地提高了效率。 事实证明,载体的优势限制和电子泄漏电流在LED的发光性能中起着至关重要的作用。