通过去除电子阻挡层并包括唯一的最后一个量子势垒改善InGaN发光二极管中的空穴注入和载流子分布

Name: 通过去除电子阻挡层并包括唯一的最后一个量子势垒改善InGaN发光二极管中的空穴注入和载流子分布
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Author: boosheng

上传者：boosheng 2021-03-22 01:46:34上传 PDF文件 639.76KB 热度 19次

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