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n型势垒掺杂对InGaN发光二极管稳态和动态性能的影响

上传者: 2021-05-04 18:24:28上传 PDF文件 407.61KB 热度 10次
对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。 仿真结果表明,n型掺杂的LED具有优异的发光和调制性能,这主要归因于n型掺杂的LED具有较高的载流子辐射率。 结果可以很好地解释所报告的实验结果
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