如何提升CMOS器件性能？应变增强沟道迁移率材料研究

针对现实需求，本文探索了在器件尺寸不断缩小的情况下，提高器件性能的新技术——应变增强沟道迁移率等。为了满足21nm以下CMOS器件的需求，我们提出并开发了高迁移率沟道工程关键工艺模块，并进一步分析应变增强载流子迁移率的机理。其中，高应力氮化硅薄层是一种有效的应变增强材料，可以大幅提升NMOS的电子迁移率和POMS的空穴迁移率，从而实现更好的器件性能。我们的研究对于实现21纳米技术代对高迁移率沟道的要求具有重要意义。