显示/光电技术中的低温p Si薄膜的制备研究

引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD 整体的重量和厚度将会大幅度的减少。 目前,人们对多晶硅薄膜技术的研究主要集中在降低晶化温度和减少晶化时间上,金属诱导晶化是一项很有潜力的新技术方案,晶化温度可降低到500°C,晶化时间可以缩短。例如Al, Cu, Au, 或 Ni 等沉积在a-Si:H上或离子注入到a-Si:H 薄膜的内部,由于金属的诱导作用,a-Si的晶化温度低于a