显示/光电技术中的SOl基片的制备

绝大部分的硅光子器件选择SOl材料来做平台。而我们通常用的SOl材料选择硅的良好氧化物二氧化硅来做掩埋绝缘层,即硅在二氧化硅上。顶层硅和掩埋二氧化硅的厚度一般为微米量级,随制作工艺的不同而不同。 二氧化硅一般采用热氧化来形成,掩埋二氧化硅的折射率一般为1.46,远远低于顶层硅的折射率,一般为3.5。因此,这种类型的SOl结构可以形成一种经典的光波导结构。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99