MMDF2C03HDR2G的技术参数

产品型号:MMDF2C03HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):70/200最大漏极电流Id(on)(A):4.100通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SO-8/-55~150描述:2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET价格/1片(套):¥6.00