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NTMD4N03R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 05:50:39上传 PDF文件 26.15KB 热度 10次
产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~150描述:30V,4A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无
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