MMDF3N04HDR2G的技术参数

产品型号:MMDF3N04HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.400通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):SO-8/-55~150描述:3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET价格/1片(套):¥6.00