As grown defects in highly phosphorus doped Czochralski silicon 上传者：qq_40523 2020-07-17 22:34:20上传 PDF文件 766.41KB 热度 44次 重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷，曾俞衡，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷.结果表明,重掺磷直拉硅单晶相对于轻掺磷直拉硅单晶有更高的原生缺陷,这些原生缺陷主要容 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
