Microdefects in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon 上传者：qinsancai 2020-06-02 19:00:13上传 PDF文件 298.16KB 热度 37次 重掺磷直拉硅单晶的微缺陷，王镇辉，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中氧沉淀和流动图案两种微缺陷以及它们之间的相互关系.两步法高温热处理用于形成氧沉淀.研究表明体微� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
