Oxygen precipitation in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon during hight

Name: Oxygen precipitation in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon during hight
Rating: 4.5 (50 reviews)
Author: serializablemrli

上传者：serializablemrli 2020-06-02 19:00:11上传 PDF文件 405.74KB 热度 50次

重掺磷直拉硅单晶在高温退火下的氧沉淀行为，曾俞衡，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中分别形核于磷化硅和氧化硅的氧沉淀在高温1000oC下处理4-256小时的行为。研究发现SiP可以作为氧沉淀的异�

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Oxygen precipitation in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon during hight

重掺磷直拉硅单晶在高温退火下的氧沉淀行为，曾俞衡，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中分别形核于磷化...

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Microdefects in heavily phosphorusdoped Czochralski silicon

重掺磷直拉硅单晶的微缺陷，王镇辉，马向阳，本文研究了重掺磷直拉硅单晶中氧沉淀和流动图案两种微缺陷以及...

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Correlation between oxygen precipitation and extended defects in Czochralski sil

红外扫描显微镜法研究直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的关系，曾俞衡，马向阳，通过红外扫描显微镜法（SIR...

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大小：332KB | 2020-07-27 09:23:24
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大小：38KB | 2021-02-01 14:33:44
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镓磷补偿直拉硅的光伏应用，陈鹏，余学功，本文研究了镓磷补偿直拉硅和普通掺镓直拉硅的性质。结果发现镓磷...

大小：0B | 2020-06-07 21:18:14
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NIR-emitting erbium/oxygen-doped silicon by self-a...

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TeeChart替代品，MFC下好用的高速绘图控件-(Hight-SpeedCharting)，实现...

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对轻量级分组密码算法 HIGHT 在积分攻击方法下的安全性进行了研究。首先纠正了现有研究成果在构造区...

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