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650V高压双极-硅上CMOS-DMOS集成电路的可靠性问题

上传者: 2023-06-29 07:36:47上传 PDF文件 310.87KB 热度 8次

在650V高压双极-硅上CMOS-DMOS集成电路中的可靠性问题包括温度应力、漏电流和尺寸限制对可靠性的影响。为了提高可靠性,需要采取有效的技术措施,如温度控制、合适的封装材料和工艺。另外,通过优化设计和工艺参数,减少漏电流和改善电子器件的性能和可靠性。当前研究方向包括材料的新型封装技术、优化结构设计和工艺参数的调整等。

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