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常态GaN金属 绝缘体 半导体高电子迁移率晶体管的O3源原子层沉积高质量Al2O3栅极电介质

上传者: 2021-05-05 04:22:34上传 PDF文件 511.75KB 热度 15次
常态GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的O3源原子层沉积高质量Al2O3栅极电介质
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