GaAs 半导体对1.06 μm激光的吸收响应 上传者：超级小小 2021-04-21 00:55:41上传 PDF文件 1.81MB 热度 38次 入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm。讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
