GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器 上传者：yangyang78424 2021-04-20 01:14:04上传 PDF文件 606.05KB 热度 20次 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806~809 nm。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 yangyang78424 资源：428 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
