红光半导体激光器

振荡波长650~690 nm的红光半导体激光器寿命,室温下已超过4000小时,1988年市场上将出现商品。与迄今的半导体激光器相比,波长约短100 nm。用作光盘光源时,记录密度提髙,或使光学系统成本下降。如果代换波长接近633 nm的He-Ne激光,光源则变得小而轻。高功率化的尝试才开始,室温下已得到27 mW的连续输出。在向短波长发展方面,已能在77 Κ和低温下使其在584 nm处连续工作。