硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应量子点的电容提取方法

报道了一种提取量子点结构耦合电容的改进方法。 该方法基于测量硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的电荷转移电流。在该晶体管中,通过施加具有半周期相位的交流偏置来控制沟道的闭合和断开移至双下闸。 通过分析传输电流和施加电压之间的关系,可以获得点周围的电容,包括边缘电容和势垒电容。 该技术不仅可用于从体硅器件中提取电容参数,而且还可用于从绝缘体上硅(SOI)MOSFET提取电容参数。