用于纳米光子应用的PEVVD SiNx:H薄膜的机械应变

通过高频等离子体增强化学气相沉积(HF PECVD)在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜(SiNx:H)。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性(尤其是应力)中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱(FTIR)获得有关膜中化学键的信息。 SiNx:H膜中的应力由衬底曲率测量确定。 结果表明,等离子体频率在控制SiNx:H薄膜的应力中起着重要作用。 对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层,观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。 氮化硅膜的固有应力的测量结果表明,该应力量足够用于应变硅光子学中的膜应用。