新型蓝光衬底材料LiAlO

LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的LiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物。在LiAlO2(100)晶面上测得的位错密度为(3.8~6.0)×104cm-2,晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构,可能是由于温场不稳定、生长速率太快造成的。