新型衬底开槽结构的LiNbO

提出了一种在LiNbO3衬底背面沿垂直光传播方向的开槽结构的波导调制器,不仅可以通过开槽的方式替代通常LiNbO3基片和电极之间的SiO2缓冲层,起到减小驱动电压和抑制直流(DC)漂移的作用,而且由于其开槽部分和未开槽部分的截面图都比较规则,开槽部分又符合部分电容法的应用条件,在设计中可以避开有限元法(FEM)而采用施瓦兹-克里斯托弗耳(SC)变换进行计算。数值计算结果表明,在电极长度为40 mm的LiNbO3衬底上,开槽时选取开槽处的厚度为15 μm,开槽宽度为38.5 mm,调制器调制带宽可以达到40.00 GHz,阻抗为63.10 Ω。说明这种结构在没有SiO2缓冲层的情况下同样能够实现