长波长半导体激光器的汽相生长

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.5~1.7微米间,此范围内玻璃纤维的损耗最低。沃尔森说,四级异质结二极管的优质界面要求避免采用象回熔预防这样的特殊生长技术。在英国与法国,标准电讯实验室及CSF公司实验室釆用金属有机化合物蒸汽沉积法生长。