试制成1.3 μm波段的多层量子阱型半导体激光器 上传者：qq_37680 2021-02-09 17:54:52上传 PDF文件 1.08MB 热度 47次 松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术,并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实现低阈值室温连续振荡。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
