NTD18N06 1G的技术参数

产品型号:NTD18N06-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 3/-55 ~150描述:18 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥3.40