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NTHS4501NT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:47:44上传 PDF文件 26.33KB 热度 5次
产品型号:NTHS4501NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38最大漏极电流Id(on)(A):6.700通道极性:N沟道封装/温度(°C):ChipFET /-55~150描述:30 V, 6.7 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.50
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