NTK3043NT1G的技术参数

产品型号:NTK3043NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):0.285通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-723/-55~150描述:0.285A, 20V,ESD保护功率MOSFET价格/1片(套):¥.86