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NTMSD3P102R2G的技术参数

上传者: 2020-12-13 04:53:38上传 PDF文件 27.83KB 热度 11次
产品型号:NTMSD3P102R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/-55 ~150描述:增强型功率MOSFET集成肖特基二极管价格/1片(套):¥3.70
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